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J-GLOBAL ID：200903069419572034

半導体装置、固体撮像装置及びその製造方法

Inventor： 角 博文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999255906
Publication number (International publication number)：2001085659
Application date： Sep. 09, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 CMOS型固体撮像装置における小型化、画素の高集積化を図る。【解決手段】 pn接合型のセンサ部42と複数のトランジスタを有し、所要のトランジスタ43,44,45,46がMOSトランジスタで構成され、他の所要の非増幅素子であるトランジスタ47が寄生バイポーラトランジスタで形成されて成る。

Claim (excerpt)：

第1の第1導電型半導体領域に第2導電型半導体領域が形成され、前記第2導電型半導体領域に1の半導体素子が形成され、前記1の半導体素子を構成する第2の第1導電型半導体領域、又は該第2の第1導電型半導体領域と同時形成の第3の第1導電型半導体領域と、前記第2導電型半導体領域と、前記第1の第1導電型半導体領域とで形成される寄生バイポーラトランジスタにより非増幅素子が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/10 A

F-Term (29)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA42 ,  4M118FA50 ,  5C024AA01 ,  5C024BA01 ,  5C024CA06 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31 ,  5C024JA04 ,  5C024JA23 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA19 ,  5F049NB05 ,  5F049QA15 ,  5F049RA03 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭59-144278