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J-GLOBAL ID：200903069421242360

固体撮像素子

Inventor： 田中 治彦 ,  中井 正章
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179212
Publication number (International publication number)：1993029598
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】固体撮像素子において、周辺回路の低寄生容量と高い信頼性を持つ配線形成とを実現しながら、スメアを抑圧する。【構成】配線導電膜101と遮光導電膜107とを別の層で形成する。また、層間絶縁膜102,103の間にエッチングストッパーとなる層104を設け、画素領域114内で層間絶縁膜103、112を除去する一方、周辺回路領域113では層間絶縁膜103を残して厚くする。【効果】配線導電膜101と遮光導電膜107とにそれぞれ最適材料を使える。また、遮光導電膜107の端部と半導体基板108の表面との間の距離をを小さくすると共に、周辺回路領域113の層間絶縁膜厚を厚くし、かつ平坦化処理を十分に行なうことにより、スメアの抑圧と寄生容量が小さく断線やショートの少ない配線形成とを両立できる。

Claim (excerpt)：

入射光を光電変換して信号電荷を作り出す複数の受光蓄積部と、該信号電荷を転送する転送部と、該信号電荷を検出し増幅する回路とを半導体基板上に設けた固体撮像素子において、(a) 全てのゲート電極よりも上層でかつ配線導電膜と遮光導電膜の双方よりも下層、又は全てのゲート電極よりも上層でかつ遮光と配線とを兼ねた導電膜よりも下層、(b) 全てのゲート電極及び配線導電膜よりも上層でかつ遮光導電膜よりも下層、のいずれかを満たすような領域に窒化シリコン膜または多結晶シリコン膜が存在し、かつ該窒化シリコン膜または多結晶シリコン膜の上層に存在する層間絶縁膜がシリコン酸化膜を含み、かつ該窒化シリコン膜または多結晶シリコン膜の直上の層がシリコン酸化膜であることを特徴とする固体撮像素子。