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J-GLOBAL ID：200903069422852200
バンプの構造とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991258327
Publication number (International publication number)：1993067617
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】簡単な設備や技術でバンプの形成が行なえ、多品種、少量でも対応可能で、しかもバンプの高さのばらつきが実装時に吸収できるバンプの構造とその製造方法を提供する。【構成】大量の電流の供給を必要としない半導体チップと、回路基板とのフェイスダウン方式による接続に使用されるバンプで、導電性樹脂から成る構造を有している。製造方法としては、図に示すように、電極パッド21が形成された半導体チップ20の全面に導電性樹脂22をレジストとして塗布し、フォトマスク23によってパターン形成を行なって、バンプ24を形成する。これ以外に、ディスペンサーを用いて、電極パッド上に、導電性樹脂を吐出する方法もある。
Claim (excerpt)：
大量の電流の供給を必要としない半導体チップと、回路基板とのフェイスダウン方式による接続に使用されるバンプであって、前記バンプは、導電性樹脂から成ることを特徴とするバンプの構造。
FI (2)：
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 D
