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J-GLOBAL ID：200903069437844726

多層配線およびその形成方法

Inventor： 田口 充
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999106531
Publication number (International publication number)：2000299377
Application date： Apr. 14, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】デュアルダマシン法においてコンタクトホールと配線用の溝の合わせずれが生じてもコンタクトホールの開口径が小さくなることを防止することができる多層配線とその形成方法を提供する。【解決手段】基板10に形成された第1配線30の上層に、第1配線の上面を露出する第1開口部Pが形成された第1絶縁膜21が形成され、第1開口部の内部と第1絶縁膜の上層に、第1絶縁膜に対してエッチング選択比を有する第2絶縁膜22が形成され、第1開口部の幅よりも狭い幅を有し、対向する1対の内壁面がともに第1開口部の領域の上方を通過する溝状の第2開口部Tと、第2開口部と連通し、第2開口部と実質的に同じ幅を有し、少なくとも第1配線の上面を露出する第3開口部CHが第2絶縁膜に形成され、第3開口部内にプラグ32aが埋め込まれ、第2開口部内に第2配線32bが埋め込まれた構成とする。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板に形成された第1配線と、前記第1配線の上層に形成された第1絶縁膜と、少なくとも前記第1配線の上面を露出するように前記第1絶縁膜に形成された第1開口部と、少なくとも前記第1絶縁膜の表層部分に対してエッチング選択比を有する絶縁性材料により、前記第1開口部の内部と前記第1絶縁膜の上層に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜に形成され、前記第1開口部の幅よりも狭い幅を有し、対向する1対の内壁面がともに前記第1開口部の領域の上方を通過する溝状の第2開口部と、前記第2開口部と連通し、前記第2開口部と実質的に同じ幅を有し、少なくとも前記第1配線の上面を露出するように前記第1開口部内の前記第2絶縁膜に形成された第3開口部と、前記第3開口部内に埋め込まれて形成されたプラグと、前記第2開口部内に埋め込まれて前記プラグと一体に形成された第2配線とを有する多層配線。

F-Term (29)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR12 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR26 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX15