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J-GLOBAL ID：200903069440859130
プローブ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001169460
Publication number (International publication number)：2002365195
Application date： Jun. 05, 2001
Publication date： Dec. 18, 2002
Summary：
【要約】【課題】 一つのプローブで、高い検出感度と高い分解能とを実現する。【解決手段】 プローブ1を、少なくともSiを含有する材料によって形成する。また、プローブ1に導電部3を形成する。導電部3に電流を供給することによって、プローブ1の温度を高くすることが可能となる。プローブ1を形成しているSiは温度が高くなるにつれて膨張することが知られている。したがって、導電部3に電流を供給してプローブ1の温度を高くすると、出射開口部4bが大きくなる。すなわち、導電部3に流す電流の量を調節することで、出射開口部4bの大きさを調節することが可能となる。
Claim (excerpt)：
基板に、光、電子、イオン、及び原子の入射媒体のうち少なくとも1種類を通過させる通過孔が設けられており、上記通過孔が、上記基板を貫通しており、一方の主面上に形成された上記入射媒体を入射するための入射開口から、他方の主面上に形成された上記入射媒体を出射するための出射開口にかけて徐々に小さくなるように形成されているプローブにおいて、上記基板が、少なくともSiを含有する材料によって形成されているとともに、さらにこの基板と接触している導電部が形成されていることを特徴とするプローブ。
IPC (5)：
G01N 13/14
, G01N 13/10
, G11B 7/135
, G11B 9/14
, G12B 21/06
G01N 13/14 B
, G01N 13/10 G
, G11B 7/135 A
, G11B 9/14 F
, G12B 1/00 601 C
5D119AA11
, 5D119AA22
, 5D119EB02
, 5D119JA34
, 5D119NA05
