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J-GLOBAL ID：200903069446107092

半導体装置及びその製造方法

Inventor： ロベルタス アドリアヌス マリア ウォルテルス ,  ポール キャービ ラーセン ,  マシーウ ヨセフ エマニュエル ウレナース
Applicant, Patent owner： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992116221
Publication number (International publication number)：1993183106
Application date： May. 08, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンピュータの電子メモリとして動作させるのに適した半導体装置及びその製造方法であって、そのアクセス時間を短かくすることにある。【構成】 下側電極11、酸素含有強誘電体12及び上側電極13を以って構成され、上側電極が強誘電体の縁部を被覆していないコンデンサ2を半導体本体3の表面10上に設け、その後、金属導体細条が重畳された絶縁層14を設けるに当り、上側電極13により被覆されていない強誘電体12を水素を実際上通さない被覆層14, 20又は30により被覆し、その後装置を水素含有雰囲気中で加熱する。

Claim (excerpt)：

下側電極と、酸化物強誘電体と、上側電極とを、上側電極が強誘導体の縁部を被覆しないように順次に設け、その後金属導体細条が重畳されている絶縁層を設けることにより、半導体素子を有する半導体本体の表面上にコンデンサを設ける半導体装置の製造方法において、強誘電体により被覆されていない上側電極の縁部を、水素を実際上通さない被覆層で被覆し、次に半導体装置を水素含有雰囲気中で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01G 7/06 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平2-232961
  
• 特開平2-184079
  
• 特開平1-265524
  
• 特開平4-102367
  

Cited by examiner (4)

• 特開平2-232961
  
• 特開平2-184079
  
• 特開平1-265524
  
• 特開平4-102367