Pat

J-GLOBAL ID：200903069456655152

メモリ素子およびメモリ素子の製造方法

Inventor： 李 光 熙 ,  周 原 提 ,  林 珍 亨 ,  姜 潤 錫
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (3)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006073823
Publication number (International publication number)：2006261677
Application date： Mar. 17, 2006
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：

【課題】工程性、再現性および性能の一貫性に優れた、有機/無機複合体多孔性物質を用いた不揮発性ナノチャネルメモリ素子を提供する。【解決手段】メモリ素子は、上部電極10と、下部電極30と、前記上部電極と前記下部電極の間に形成されたメモリ層20と、を含む。前記メモリ層20は、前記上部電極10と前記下部電極30との間にナノチャネル40を形成することが可能な有機/無機複合体多孔性物質からなり、前記ナノチャネル40内に金属ナノ粒子50が注入されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

上部電極と、 下部電極と、 前記上部電極と前記下部電極の間に形成されたメモリ層と、 を含むメモリ素子であって、 前記メモリ層が、前記上部電極と前記下部電極との間にナノチャネルを形成することが可能な有機/無機複合体多孔性物質からなり、前記ナノチャネル内に金属ナノ粒子または金属イオンが注入されていることを特徴とするメモリ素子。

IPC (1)：

H01L 27/10

FI (1)：

H01L27/10 451

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭62-956882号公報
  
• 米国特許公開第2002-163057号明細書
  
• 米国特許第6,055,180号明細書
  
• 米国特許第2003-166602号明細書