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J-GLOBAL ID：200903069458048652
イオンビーム療法において格子スキャナをフィードバック制御するための装置および方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
庄司 隆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000611289
Publication number (International publication number)：2002540911
Application date： Mar. 27, 2000
Publication date： Dec. 03, 2002
Summary：
【要約】【課題】 補正作業を著しく減少させ、幾何学上の精度をかなり増加させることが可能なイオンビーム療法において格子スキャナをフィードバック制御するための装置および方法を提供すること。【解決手段】 本発明は、イオン療法において格子スキャナをフィードバック制御するための装置および方法に関する。格子スキャナをフィードバック制御するためのこの種の装置は、イオンビームの中央に対して水平および垂直方向に偏向するイオンビームスキャナ磁石のためのスキャナ磁石電流供給デバイスを有する。供給デバイスは、スキャナ磁石のための制御および読出しモジュールによって制御される。さらに、装置は、制御および読出しモジュールによって制御される、ロケーション測定のためのロケーションに敏感な検出器を有する。シーケンス制御デバイスは、装置のデバイス中での駆動および読出しシーケンスを制御する。装置はまた、シーケンス制御デバイス内に、スキャナ磁石のための制御および読出しモジュールと、ロケーションに敏感な検出器の制御および読出しモジュールとの間にフィードバックループを有する回路配置を有する。このため、シーケンス制御デバイス内のスキャナ磁石のための制御および読出しモジュール、ならびにロケーションに敏感な検出器の制御および読出しモジュールは、回路およびシーケンスにおいて、スキャナ磁石のための制御および読出しモジュールが、ロケーションに敏感な検出器の制御および読出しモジュールの後に直列に位置するように技術的に配置されている。
Claim (excerpt)：
イオンビーム療法において格子スキャナをフィードバック制御するための装置であって、該装置は、少なくとも、 スキャナ磁石のための制御および読出しモジュール(SAMS)によって制御される、イオンビームの中央に対して水平(X)および垂直(Y)方向に偏向するイオンビームスキャナ磁石のためのスキャナ磁石電流供給デバイス(MGN)と、 制御および読出しモジュール(SAMO1)によって制御される、ロケーション測定のためのロケーションに敏感な検出器(MWPC1)と、 前記装置の前記デバイス中での駆動および読出しシーケンスを制御するシーケンス制御デバイス(VMEAS)とを有し、 前記装置は、前記シーケンス制御デバイス(VMEAS)中に、前記スキャナ磁石のための制御および読出しモジュール(SAMS)と、前記ロケーションに敏感な検出器(MWPC1)の前記制御および読出しモジュール(SAMO1)との間にフィードバックループを有する回路配置を有し、 回路およびシーケンスにおいて、前記シーケンス制御デバイス(VMEAS)中の前記スキャナ磁石のための制御および読出しモジュール(SAMS)、ならびに前記ロケーションに敏感な検出器(MWPC1)の前記制御および読出しモジュール(SAMO1)は、前記スキャナ磁石のための制御および読出しモジュール(SAMS)が、前記ロケーションに敏感な検出器(MWPC1)の前記制御および読出しモジュール(SAMO1)の後に直列に位置するように技術的に配置されていることを特徴とする装置。
IPC (5)：
A61N 5/10
, G01T 1/29
, G21K 1/093
, G21K 5/04
, G21K 5/10
A61N 5/10 H
, A61N 5/10 Q
, G01T 1/29 B
, G01T 1/29 C
, G21K 1/093 S
, G21K 5/04 A
, G21K 5/04 C
, G21K 5/10 M
2G088EE01
, 2G088EE29
, 2G088FF13
, 2G088FF14
, 2G088GG01
, 2G088GG03
, 2G088JJ01
, 2G088KK32
, 4C082AC04
, 4C082AE01
, 4C082AG12
, 4C082AJ06
, 4C082AJ13
, 4C082AP03
, 4C082AR12
