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J-GLOBAL ID：200903069475149365

半導体記憶装置

Inventor： 松田 順一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991233270
Publication number (International publication number)：1993075053
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細化に適したトレンチキャパシタと短チャンネル効果の少ない転送用MOSトランジスタとを備えた半導体記憶装置を提供する。【構成】 厚さの異なる絶縁膜(4)(5)に埋め込まれた半導体領域(8)にメモリセルの転送用MOSトランジスタを形成し、半導体領域(8)と電気的に分離された半導体基板(30)にトレンチ(25)を設けて、このトレンチ(15)内面に極めて薄い容量酸化膜(26)を用いて単位面積当りの容量値の大きいメモリセルの容量(53)(54)を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記基板表面を被覆する厚さの異なる部分を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の薄い部分に埋め込まれた半導体領域と、前記半導体領域から前記絶縁膜を貫通して前記基板に到達するトレンチとを備え、前記半導体領域にメモリセルの転送用MOSトランジスタを形成し、前記トレンチの内面に容量絶縁膜を介して容量電極を設け前記容量電極と前記基板間でメモリセルの容量を形成することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/10 325 D ,  H01L 29/78 311 C