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J-GLOBAL ID：200903069475269697

薄膜作製方法および装置

Inventor： 関口 敦 ,  戸部 了己
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064343
Publication number (International publication number)：1994275600
Application date： Mar. 23, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 誘電体から成りプラズマ生成に使用される中空容器10と、中空容器の周囲に設けられ中空容器に高周波電力を印加する手段14と、中空容器と連通している成膜室12と、成膜室の周囲に設けられ成膜室内にマルチカスプ磁場を形成する手段16と、中空容器及び成膜室を真空排気する手段22と、成膜室に原料ガスを供給する手段24とを具える薄膜作製装置を用い、かつ、原料ガスとしてシランガス及び酸素ガスを用いて、下地上に熱酸化膜と同等若しくはそれと近い酸化シリコン膜を作製できる方法の提供。【構成】 酸素ガスの流量/シランガスの流量で示される流量比を1.4〜2.0の範囲の値とする。酸化シリコン膜形成時の成膜室内の圧力を20mTorr以下とする。

Claim (excerpt)：

誘電体で構成されプラズマ生成に使用される中空容器と、前記中空容器の周囲に設けられ前記中空容器に高周波電力を印加するための手段と、前記中空容器と連通している成膜室と、前記成膜室の周囲に設けられ前記成膜室内にマルチカスプ磁場を形成するための手段と、前記中空容器及び成膜室を真空排気するための手段と、前記成膜室に原料ガスを供給するための手段とを具えるプラズマCVD装置を用い、かつ、前記原料ガスとしてシランガス及び酸素ガスを用いて、下地上に酸化シリコン膜の薄膜を作製するに当たり、酸素ガスの流量/シランガスの流量で示される流量比を1.4〜2.0の範囲の値とし、酸化シリコン膜形成時の成膜室内の圧力を20mTorr以下とすることを特徴とする薄膜作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C04B 41/87 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-002376
  
• 特開平3-068773
  
• 特開平3-277775
  
• 特開平4-290428