Pat
J-GLOBAL ID：200903069478882241
不揮発性半導体記憶装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992310644
Publication number (International publication number)：1994163921
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 微細化によって発生するショートチャネル効果を抑制できる不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。【構成】 シリコン基板1上に絶縁膜2が形成され、その上に第1導電型の単結晶シリコン薄膜3が立設されている。その単結晶半導体薄膜3の中央部には単結晶半導体薄膜3の両側面及び上面に接するように帯状のゲート絶縁膜4が配置されている。ゲート絶縁膜4上には浮遊ゲート電極5が形成され、その浮遊ゲート電極5上に層間絶縁膜6が配置されている。さらに、層間絶縁膜6上には制御ゲート電極7が形成されている。又、単結晶半導体薄膜3において制御ゲート電極7に対して自己整合的に第2導電型のソース・ドレイン領域8,9が形成されている。
Claim (excerpt)：
基板上に第1導電型の単結晶半導体薄膜を立設し、その単結晶半導体薄膜における左右に同薄膜を露出した状態で当該薄膜の表面に沿うように第1絶縁膜を介して浮遊ゲート電極を形成し、その浮遊ゲート電極上に第2絶縁膜を介して制御ゲート電極を形成し、さらに、単結晶半導体薄膜において制御ゲート電極に対して自己整合的に第2導電型のソース・ドレイン領域を形成したことを特徴とした不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
