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J-GLOBAL ID：200903069486425259
磁気抵抗効果素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997251787
Publication number (International publication number)：1999097762
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】強磁性トンネル効果接合の磁気抵抗効果を大きくし、かつ安定して得られるようにした、磁気ヘッド用のMR素子。【解決手段】強磁性トンネル効果を有する接合部を、強磁性体層を介して2つ以上直列に接続した磁気抵抗効果素子とする。直列接続の方法は、積層するか、またはトンネル効果を有する絶縁体層3の接合部を挟む2枚の強磁性体層を分割(11、12および13と、21および22)し、接合部が直列になるようにする。その際、2枚の強磁性体層は相互に保磁力の異なるものとするか、あるいは一方の強磁性体層を反強磁性体層の付着等の手段により磁化方向を固定する。
Claim (excerpt)：
二つの電導性の強磁性体層を絶縁性の非磁性体層を挟んで接合した、接合部の強磁性トンネル効果を利用する磁気抵抗効果素子であって、トンネル効果を有する接合部を、強磁性体層を介して2つ以上直列に接続したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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