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J-GLOBAL ID：200903069487195745
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993280988
Publication number (International publication number)：1995135186
Application date： Nov. 10, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】絶縁膜に設けた接続孔をタングステンで埋め込む場合、その上のアルミニウム配線の下層にもタングステンを積層させてエレクトロマイグレーション耐性を向上させる構造を製造する有効な方法を提供する。【構成】接続孔9が形成されたシリコン酸化膜2上にチタニウム3、窒化チタニウム4をスパッタ法により形成する。次に化学気相成長法により第1のタングステン5、窒化タングステン6、第2のタングステン7を順次形成する。この時、第2のタングステン7は厚く形成して接続孔9を完全に埋め込む。次に第2のタングステン7を窒化タングステン6が露出するまで全面エッチバックする。次にスンパッタ法によりアルミニウム合金8を形成し、アルミニウム合金8,窒化タングステン6,第1のタングステン5,窒化チタニウム4,チタニウム3をパターニングしてアルミニウム電極配線を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定位置に接続孔を形成する工程と、第1のバリア層となる導電膜を形成する工程と、化学気相成長法により第1のタングステンを形成する工程と、第2のバリア層となる導電膜を形成する工程と、化学気相成長法により第2のタングステンを形成して前記接続孔を完全に埋め込む工程と、前記第2のタングステンを全面エッチバックする工程と、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/768
