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J-GLOBAL ID：200903069498607980

半導体レーザ発光装置

Inventor： 西村 浩之 ,  足達 廣士 ,  林 修 ,  村山 雅一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991192623
Publication number (International publication number)：1993013887
Application date： Jul. 05, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 透明樹脂を用いてレーザチップを封止する構造を有するものにおいて、封止樹脂により生じる、発振光の複屈折の影響を低減する。【構成】 エポキシ樹脂,酸無水物系硬化剤,硬化促進剤等の組成制御によって得られた低複屈折で経時変化の少ない透明エポキシ樹脂10を用いて半導体レーザ素子1を封止する。

Claim (excerpt)：

基台上に搭載された半導体レーザ素子を、樹脂で構成された封止部材を用いて封止するようにした半導体レーザ発光装置において、上記封止部材として、透明性に優れ、低複屈折かつ経時変化の少ない液状透明エポキシ樹脂を用いたことを特徴とする半導体レーザ発光装置。

IPC (5)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/025

FI (3)：

H01L 23/30 R ,  H01L 23/30 F ,  H01S 3/02 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-169620
  
• 特開昭60-221701
  
• 特開昭59-017289
  
• 特開平2-209786
  
• 特開平2-209785