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J-GLOBAL ID：200903069507309980
磁気抵抗素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
青木 朗 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991058877
Publication number (International publication number)：1994021529
Application date： Mar. 22, 1991
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 簡易な構成で、然かも製造が容易である電気抵抗の変化率(ΔR/R)が実用上十分高い磁気抵抗素子を得る事を目的とする。【構成】 保磁力を異にする少なくとも2種の薄膜状の金属片2、3をオーミックコンタクトを介して互いに積層させて形成された単位素子5と、該単位素子に該単位素子の積層面と交差する方向に電流が流れる様に電極6、7、が形成される様に構成する。
Claim (excerpt)：
保磁力を異にする少なくとも2種の薄膜状の金属片をオーミックコンタクトを介して互いに積層させて形成された単位素子と、該単位素子に該単位素子の積層面と交差する方向に電流が流れる様に電極が形成されている事を特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (2)：
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