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J-GLOBAL ID：200903069507625237

超伝導体電磁波発生方法及び装置

Inventor： 阪井 清美 ,  斗内 政吉 ,  谷 正彦 ,  王 鎮 ,  萩行 正憲 ,  中島 信一 ,  村上 吉繁
Applicant, Patent owner： 郵政省通信総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995233417
Publication number (International publication number)：1997055626
Application date： Aug. 17, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】超伝導状態にある超伝導体を用いて、放射電磁波の上限周波数が高い超伝導電磁波発生方法及び装置を実現する。【解決手段】光パルス光源1から出力された光パルス2を、バイアス電源5により直流バイアスされた超伝導電磁波発生素子3の超伝導薄膜4に照射し、超伝導電流を制御することにより高周波電磁波を誘起し、アンテナ部6により放射電磁波7を外部に出力する。

Claim (excerpt)：

超伝導状態にある超伝導体素子の両電極にバイアス電圧を印加すると共に、超伝導体素子に光パルスを照射し、該光パルスにより誘起された電磁波を電磁波放射手段により超伝導体素子の外部に放射することを特徴とする超伝導電磁波発生方法。

IPC (4)：

H03B 15/00 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA ,  H01Q 1/00

FI (4)：

H03B 15/00 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/22 ZAA D ,  H01Q 1/00