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J-GLOBAL ID：200903069508475760

量子ドット型MOSトランジスタおよびその製造方法

Inventor： ドゥレオニビュス,シモン
Applicant, Patent owner： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Agent (1)： 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998501321
Publication number (International publication number)：1999510967
Application date： Jun. 13, 1997
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：

【要約】量子井戸MOSトランジスタ、および、その製造方法が開示されている。このトランジスタにおいては、ソース領域(92)およびドレイン領域(94)は、トンネル効果による荷電キャリアの通過が可能であるように十分に薄く形成された電気絶縁層(88、90)によって、チャネルから隔離されている。ソース領域およびドレイン領域の各々は、荷電キャリアのいかなる内部通過をも阻止できるほど十分に厚い電気絶縁層によって、基板から隔離されている。トランジスタおよびその製造方法は、マイクロエレクトロニクスデバイスを製造するに際して有効である。

Claim (excerpt)：

-半導体基板(50;100)と、-グリッド領域(71)と、-該グリッド領域の下方に配置されるとともに、該グリッド領域から電気的に絶縁された半導体チャネル(95;114;138)と、-前記グリッド領域および前記チャネルの両サイドに配置されるとともに、前記基板および前記グリッド領域から電気的に絶縁された、ソース領域(92)およびドレイン領域(94)と、を具備するMOSタイプトランジスタであって、 前記ソース領域および前記ドレイン領域は、前記チャネルを通っての前記ソース領域から前記ドレイン領域へのトンネル効果による荷電キャリアの通過が可能であるように各々が十分に薄く形成された電気絶縁層(88、90;116、118;124、126;142、144)によって、前記チャネルから隔離されているとともに、 前記ソース領域および前記ドレイン領域の各々は、荷電キャリアのいかなる内部通過をも阻止できるほど十分に厚い電気絶縁層によって、前記基板から隔離されていることを特徴とするMOSタイプトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (2)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/06