Pat
J-GLOBAL ID：200903069512176831
磁気抵抗効果素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995314213
Publication number (International publication number)：1997153652
Application date： Dec. 01, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：
【要約】【課題】 バルクハウゼン・ノイズの抑制を図りつつ実効トラック幅を正確に確定でき、信号磁場に応答した高い再生出力が安定して得られるようにする。【解決手段】 一面側に積層された磁化固定層4により磁化の向きを固定された第1の強磁性層1の他面側に非磁性金属層3を介して第2の強磁性層2を積層形成する。これらの長手方向両側に、第1の強磁性層1及び非磁性金属層3と略等しい厚みを有して第1の電極層7を成膜し、これの上部に軟磁性層5を、第2の強磁性層2の両端面と接触するように積層形成する。更に、軟磁性層5の上部に、第2の強磁性層2の両端面に対し長さxだけ離隔した位置に端面を有して縦バイアス層6を積層形成し、この縦バイアス層6及び軟磁性層5の露出部の上部に第2の電極層8を形成して磁気抵抗効果素子を構成する。
Claim (excerpt)：
一面側に積層された磁化固定層により磁化の向きを固定された第1の強磁性層と、該第1の強磁性層の他面側に非磁性金属層を介して積層され、信号磁場に感応して磁化の向きを変える第2の強磁性層と、第2の強磁性層の内部を単一磁区となすべく、該第2の強磁性層の両端面に夫々の端面を接触させた軟磁性層を介して縦バイアス磁場を印加する縦バイアス層とを備えるスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子において、前記縦バイアス層は、前記第2の強磁性層の両端面から所定長離隔した端面を有し、前記軟磁性層の一面側に積層形成してあることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
