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J-GLOBAL ID：200903069530505680

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 水津 康正 ,  間 博顕 ,  小澤 良夫 ,  山部 紀久夫 ,  百瀬 寿代 ,  小野 瑞城 ,  赤坂 泰志
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993080117
Publication number (International publication number)：1994268234
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】オキシナイトライド膜からなる絶縁膜の窒素濃度分布の非対称性に起因する問題を解決し得る半導体装置を提供すること。【構成】シリコン基板1上に形成されEEPROM用のメモリセル用の電界効果型トランジスタであって、トンネルゲート絶縁膜が熱酸化膜3とオキシナイトライド膜4と熱酸化膜5とからなり、トンネルゲート絶縁膜中の窒素濃度がオキシナイトライド膜4の中央部で最大となり、且つトンネルゲート絶縁膜中の窒素の濃度分布が膜厚方向に対して対称であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、このシリコン基板上に設けられ、シリコンと酸素と窒素とから形成され、前記窒素の濃度が中央部分で最大となり、且つ前記窒素の濃度分布が膜厚方向に対して略対称である絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられた電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-214451   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-257828
  
• 特開平3-108873
  

Cited by examiner (2)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-214451   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-257828