III族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにIII族窒化物結晶基板および半導体デバイス

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004171452
Publication number (International publication number)：2005350291
Application date： Jun. 09, 2004
Publication date： Dec. 22, 2005
Summary：

【課題】転位密度が低いIII族窒化物結晶およびその製造方法を提供する。【解決手段】種結晶10を準備する工程と、液相法により種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程とを含み、種結晶10に第1のIII族窒化物結晶21を成長させる工程において、種結晶10の主面10hに平行な方向の結晶成長速度VHが、種結晶10の主面10hに垂直な方向の結晶成長速度VVより大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。上記製造方法により得られた種結晶10の主面10hに平行な面の転位密度が5×106個/cm2以下のIII族窒化物結晶。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

種結晶を準備する工程と、液相法により前記種結晶に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含み、前記種結晶に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程において、前記種結晶の主面に平行な方向の結晶成長速度が、前記種結晶の主面に垂直な方向の結晶成長速度より大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B29/38 , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L33/00

FI (4)：

C30B29/38 D , C30B9/10 , C30B11/06 , H01L33/00 C

F-Term (22)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077CC04 , 4G077CD05 , 4G077DA18 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED02 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077MB12 , 4G077SC01 , 4G077TA01 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA63 , 5F041CA64

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特許第3139445号公報

Cited by examiner (3)

窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-276911 Applicant：昭和電工株式会社
窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-320131 Applicant：日亜化学工業株式会社
13族窒化物結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-195510 Applicant：日亜化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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