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J-GLOBAL ID：200903069551607874

透明導電膜及びその形成方法

Inventor： 間宮 周雄 ,  辻 稔夫 ,  清村 貴利 ,  伊藤 博人
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002169801
Publication number (International publication number)：2004014439
Application date： Jun. 11, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

【課題】生産性に優れ低抵抗かつ基材との密着性に優れた透明導電膜及びその形成方法を提供すること。【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下で、放電空間にガスを導入し、電界を印加してプラズマ状態とした該ガスに基材を晒すことにより透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法において、堆積速度が2〜20nm/secでかつ、製膜後の該透明導電膜のXPSによる炭素含量が0.1〜3atom%であることを特徴とする透明導電膜の形成方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

大気圧または大気圧近傍の圧力下で、放電空間にガスを導入し、電界を印加してプラズマ状態とした該ガスに基材を晒すことにより透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法において、堆積速度が2〜20nm/secでかつ、製膜後の該透明導電膜のXPSによる炭素含量が0.1〜3atom%であることを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (6)：

H01B13/00 ,  C08J7/00 ,  C08J7/06 ,  C23C16/40 ,  G02F1/1343 ,  H01B5/14

FI (7)：

H01B13/00 503B ,  C08J7/00 306 ,  C08J7/06 B ,  C08J7/06 ,  C23C16/40 ,  G02F1/1343 ,  H01B5/14 A

F-Term (66)：

2H092HA01 ,  2H092HA03 ,  2H092HA04 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA29 ,  2H092NA18 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  2H092RA10 ,  3K007AB15 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA07 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4F006AA02 ,  4F006AA12 ,  4F006AA15 ,  4F006AA17 ,  4F006AA18 ,  4F006AA19 ,  4F006AA22 ,  4F006AA35 ,  4F006AA36 ,  4F006AA38 ,  4F006AA39 ,  4F006AA40 ,  4F006AB73 ,  4F006AB74 ,  4F006BA07 ,  4F006CA08 ,  4F006DA01 ,  4F073AA04 ,  4F073BA03 ,  4F073BA19 ,  4F073BA23 ,  4F073BA26 ,  4F073BB01 ,  4F073CA01 ,  4F073DA09 ,  4K030BA07 ,  4K030BA11 ,  4K030BA15 ,  4K030BA21 ,  4K030BA42 ,  4K030BA45 ,  4K030BA46 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA20 ,  4K030KA16 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC05 ,  5G307FC10 ,  5G323BA04 ,  5G323BB03