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J-GLOBAL ID：200903069567153644

光起電力装置及びその製造方法

Inventor： 能口 繁 ,  岩多 浩志 ,  佐野 景一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243271
Publication number (International publication number)：1994097475
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光吸収効率を高めるための表面凹凸形状が均一で且つ微細のものとする光起電力装置を提供することにある。【構成】 基板(1)上の絶縁性セラミックス粒(2b)を含有した絶縁膜(2)を使用し、斯る絶縁膜(2)上に光電変換部を形成したことにあり、また、水素を含有した非晶質シリコン材料にエネルギービームを照射したことにより凹凸形状とし、その上に光電変換部を形成したことにある。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された、絶縁性セラミックス粒を含む絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成された背面電極と、上記背面電極上に形成された半導体から成る光電変換層と、上記光電変換層上に形成された透光性電極と、を具備したことを特徴とする光起電力装置。

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-196364
  
• 特開平2-180081
  
• 特開平3-159179
  
• 特開平4-299575