高分子化合物、反射防止膜材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003369931
Publication number (International publication number)：2005048152
Application date： Oct. 30, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：

【解決手段】下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の-COO-、-CONH-又は-O-が介在してもよいアルキレン基、-COO-、-CONH-、-O-、又はシロキサン結合である。)【効果】本発明によれば、レジストに対してエッチング選択比の高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜が得られ、この反射防止膜は十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、また、パターニング後のレジスト形状も良好である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。

IPC (4)：

C08G77/48 , G03F7/075 , G03F7/11 , H01L21/027

FI (4)：

C08G77/48 , G03F7/075 521 , G03F7/11 503 , H01L21/30 574

F-Term (59)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA34 , 2H025FA41 , 4J246AA03 , 4J246AA11 , 4J246AA13 , 4J246BA11X , 4J246BA110 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB022 , 4J246BB130 , 4J246BB14X , 4J246BB140 , 4J246BB141 , 4J246BB260 , 4J246BB270 , 4J246BB330 , 4J246BB45X , 4J246BB450 , 4J246BB451 , 4J246CA010 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA340 , 4J246CA350 , 4J246CA39X , 4J246CA390 , 4J246CA45X , 4J246CA450 , 4J246CA54X , 4J246CA540 , 4J246CA550 , 4J246CA56X , 4J246CA560 , 4J246CA570 , 4J246CA640 , 4J246CA660 , 4J246CA68X , 4J246CA680 , 4J246CA88X , 4J246CA880 , 4J246FA131 , 4J246FA151 , 4J246FA421 , 4J246FB011 , 4J246GA01 , 4J246GC23 , 4J246GC26 , 4J246GD08 , 4J246HA15 , 5F046PA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (20)

リソグラフィー用下地材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-244050 Applicant：東京応化工業株式会社
特開昭57-131250号公報
特開昭56-129261号公報

特許第3287119号公報

特許第3118887号公報

レジスト下層膜用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-163215 Applicant：ジェイエスアール株式会社

シリカ基材非反射性平面化層
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-261270 Applicant：エヌ・シー・アール・コーポレイシヨン

パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-287666 Applicant：三菱電機株式会社

反射防止ハードマスク組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-174636 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー

反射防止膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-265408 Applicant：東京応化工業株式会社

反射防止膜形成用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-022674 Applicant：東京応化工業株式会社

特公平7-69611号公報

米国特許第6,420,088号明細書

米国特許第5,294,680号明細書

ハレーション止め組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-328816 Applicant：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド

反射防止膜およびレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-288131 Applicant：日本合成ゴム株式会社

リソグラフィー用下地材及びそれを用いた多層レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-040523 Applicant：東京応化工業株式会社

反射防止組成物及びレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-273963 Applicant：三菱化学株式会社

ポリシランおよびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-336655 Applicant：株式会社東芝

特開昭57-83563号公報

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Cited by examiner (9)

ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-246734 Applicant：富士写真フイルム株式会社
反射防止膜材料およびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-300650 Applicant：信越化学工業株式会社
シリカ基材非反射性平面化層
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-261270 Applicant：エヌ・シー・アール・コーポレイシヨン

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