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J-GLOBAL ID：200903069594566381

半導体装置のキャパシタ絶縁膜の形成方法

Inventor：
高橋 正志

About 高橋 正志


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996089465
Publication number (International publication number)：1997283713
Application date： Apr. 11, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 SiOx Ny を含まずかつ薄膜化が可能な半導体装置のキャパシタ絶縁膜を提供する。【解決手段】 シリコン窒化膜の形成工程には、下地10上にシリコン層11を形成して第1構造体13を得る工程と、シリコン層11の表面に自然酸化膜12ができている状態で第1構造体に対し熱窒化処理を行ってシリコン層の表面領域をシリコン窒化膜14にすると共に、自然酸化膜をシリコン窒化酸化膜(SiOx Ny 膜、ただしx及びyは組成を表す)16に変えた第2構造体17を得る工程と、シリコン窒化酸化膜を選択的にエッチング除去してシリコン窒化膜14を残存させた第3構造体19を得る工程とを含む。
Claim (excerpt)：
シリコン層上にシリコン窒化膜を形成し、該シリコン窒化膜上にトップ酸化膜を形成することにより、該シリコン窒化膜及びトップ酸化膜からなるキャパシタ絶縁膜を形成するに当たり、前記シリコン窒化膜の形成工程には、(a)下地上に前記シリコン層を形成して第1構造体を得る工程と、(b)前記シリコン層の表面に自然酸化膜ができている状態で前記第1構造体に対し熱窒化処理を行って前記シリコン層の表面領域をシリコン窒化膜にすると共に、前記自然酸化膜をシリコン窒化酸化膜(SiOx Ny 膜、ただしx及びyは、組成を表す)に変えた第2構造体を得る工程と、(c)前記シリコン窒化酸化膜を選択的にエッチング除去して前記シリコン窒化膜を残存させた第3構造体を得る工程とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ絶縁膜の形成方法。
IPC (10)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6)：
H01L 27/04 C ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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