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J-GLOBAL ID：200903069612011910

低誘電率の電子被膜

Inventor： キュハ チュン ,  チャンダン クマー サハ ,  フイ チャン リュウ ,  ユーフアン リゥ
Applicant, Patent owner： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
Agent (1)： ウオーレン・ジー・シミオール
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998156533
Publication number (International publication number)：1999145130
Application date： Jun. 05, 1998
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 誘電率が2.5〜2.8の不溶性被膜の製造法を提供することである。【解決手段】 その方法は、基材上に水素シルセスキオキサン樹脂組成物を塗布して基材上に膜を形成し;その基材を200°C〜550°Cの温度で所定の速度で十分な時間加熱して、誘電率が2.5〜2.8の不溶性被膜の製造する工程から成る。

Claim (excerpt)：

水素シルセスキオキサン樹脂から成る組成物を基材上に塗布して該基材上に膜を形成し;しかる後に該膜を200°C〜550°Cの温度で所定の速度で十分な時間加熱して、2.5〜2.8の誘電率を有する不溶性被膜を製造する工程から成ることを特徴とする被膜の製造法。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  B05D 3/02 ,  B05D 7/24 302

FI (3)：

H01L 21/312 C ,  B05D 3/02 Z ,  B05D 7/24 302 Y