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J-GLOBAL ID：200903069619915165

圧電磁器

Inventor： 古川 正仁 ,  堀野 賢治 ,  佐藤 直義 ,  黒田 朋史
Applicant, Patent owner： TDK株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003314199
Publication number (International publication number)：2005082422
Application date： Sep. 05, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】 圧電特性を向上させることができる圧電磁器を提供する。【解決手段】 菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第2の化合物に加えて、Biと、Mgと、Ta,NbおよびSbからなる群のうちの少なくとも1種の五価金属元素と、Oとを含む第3の化合物を含有する。これらは固溶していてもよく、完全に固溶していなくてもよい。第1の化合物の組成比x、第2の化合物の組成比y、および第3の化合物の組成比zは、モル比で、x+y+z=1,0.35≦x≦0.99,0<y≦0.55,0<z≦0.1をそれぞれ満たす範囲内であることが好ましい。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、正方晶系ペロブスカイト構造を有する第2の化合物と、ビスマス(Bi)と、マグネシウム(Mg)と、タンタル(Ta),ニオブ(Nb)およびアンチモン(Sb)からなる群のうちの少なくとも1種の五価金属元素と、酸素(O)とを含む第3の化合物とを含有することを特徴とする圧電磁器。

IPC (3)：

C04B35/46 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

FI (4)：

C04B35/46 J ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/22 A

F-Term (13)：

4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA32 ,  4G031AA34 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特公平4-60073号公報
  
• 圧電セラミックス材料およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-351543   Applicant：日産自動車株式会社
• 圧電性磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-361880   Applicant：株式会社トーキン

Cited by examiner (1)

• 圧電磁器組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-399587   Applicant：エヌイーシートーキン株式会社