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J-GLOBAL ID：200903069635421822
レーザーアニール方法及び装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996330731
Publication number (International publication number)：1998172919
Application date： Dec. 11, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】ポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT)を低温プロセスで製造する際のスループットを向上させる。【解決手段】ガラス基板10を加熱しながらレーザーパルス31による非晶質シリコン11の多結晶化を行って、粒径サイズの大きい良質のポリシリコン12を得た後、冷却媒体24によりガラス基板10を冷却して迅速に装置から取り出す。冷却の初期段階では、基板加熱と冷却を同時に行い、ガラス基板10の急速な温度低下を防止して、歪み等の発生することを防止する。
Claim (excerpt)：
被処理膜が形成された基板を加熱手段により加熱しながら前記被処理膜をレーザーアニール処理するレーザーアニール方法において、前記レーザーアニール処理の終了時に、前記基板を冷却する冷却手段を駆動することを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/268 G
, H01L 21/20
