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J-GLOBAL ID：200903069639537850

光半導体装置

Inventor： 菅原 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998138557
Publication number (International publication number)：1999330606
Application date： May. 20, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光半導体装置に関し、自己組織化量子ドットが生成されている層を多層に積層形成した場合、層内は勿論のこと、層を異にする量子ドットとの間であっても、大きさが揃うようにする。【解決手段】 自己組織化量子ドット33が形成された量子ドット層の複数が基板31上に積層形成された積層体を有し、a<SB>sub </SB>:半導体基板31の格子定数、a<SB>c </SB>:量子ドット層間の層間半導体層34の格子定数、a<SB>e </SB>:半導体材料の格子定数(ウエッティング層を構成する半導体材料そのものの格子定数)とした場合にa<SB>c </SB><a<SB>sub </SB><a<SB>e </SB>或いはa<SB>e </SB><a<SB>sub </SB><a<SB>c </SB>の条件を満たすようにする。

Claim (excerpt)：

自己組織化量子ドットが形成された量子ドット層の複数が基板上に積層形成された積層体を有し、a<SB>sub </SB>:基板の格子定数a<SB>c </SB>:量子ドット層間の層間半導体層の格子定数a<SB>e </SB>:ウエッティング層を構成する半導体材料そのものの格子定数とした場合にa<SB>c </SB><a<SB>sub </SB><a<SB>e </SB>或いはa<SB>e </SB><a<SB>sub </SB><a<SB>c</SB>であることを特徴とする光半導体装置。