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J-GLOBAL ID：200903069647373254

半導体装置の製造方法

Inventor： 小林 均 ,  浅野 祐一 ,  ▲高▼橋 文仁
Applicant, Patent owner： 株式会社富士通宮城エレクトロニクス
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991088821
Publication number (International publication number)：1993308116
Application date： Apr. 19, 1991
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 リードフレームを使用する半導体装置の製造方法に関し、外部リードの半田濡れ性向上を目的とする。【構成】 樹脂封止により樹脂パッケージ1を形成する工程と、該樹脂パッケージ1から突出するアウターリード3の先端部近傍に凹部3aを形成する工程と、該アウターリード3をメッキする工程と、該凹部3aの位置でアウターリード3を切断する工程と、をこの順に含むように構成する。

Claim (excerpt)：

樹脂封止により樹脂パッケージ(1) を形成する工程と、該樹脂パッケージ(1) から突出するアウターリード(3) の先端部近傍に凹部(3a)を形成する工程と、該アウターリード(3) をメッキする工程と、該凹部(3a)の位置でアウターリード(3) を切断する工程と、をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-270360
  
• 特開昭63-250163
  
• 特開平3-016246