Pat

J-GLOBAL ID：200903069654128974

光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 井上 敦央 ,  松本 信之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002312945
Publication number (International publication number)：2004152786
Application date： Oct. 28, 2002
Publication date： May. 27, 2004
Summary：

【課題】製造工程において半導体層へのダメージが少なく、電極材料や電極構造作製方法の制限が少ない光電変換素子の構造とその製造方法を提供すること。【解決手段】前記の課題を解決するためになされた本発明の光電変換素子では、絶縁膜を介して積層された2つの電極を予め作製しておき、電極作製およびその形状加工の後で半導体層を形成する。具体的な構造としては、第1の電極と、前記第1の電極に積層された絶縁層と、前記絶縁層に積層され、かつ、前記第1の電極と直接接していない第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極の両方に接している半導体層からなることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1の電極と、該第1の電極に積層された絶縁層と、該絶縁層に積層され、かつ、前記第1の電極と接していない第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極の両方に接している半導体層からなることを特徴とする光電変換素子。

IPC (3)：

H01L31/08 ,  H01L31/04 ,  H01L51/10

FI (2)：

H01L31/08 T ,  H01L31/04 D

F-Term (18)：

5F051AA11 ,  5F051AA12 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA16 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5F088AB11 ,  5F088AB13 ,  5F088BA18 ,  5F088BB02 ,  5F088BB03 ,  5F088BB05 ,  5F088CB15 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088FA20 ,  5F088GA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-212287   Applicant：キヤノン株式会社