Pat

J-GLOBAL ID：200903069657800711

半導体装置

Inventor： 湯川 昌彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994102020
Publication number (International publication number)：1995288262
Application date： Apr. 15, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 たとえ基板と半導体素子との熱膨張係数の差が大きくても、デバイスの特性不良や半導体素子の割れの発生のない半導体装置を提供すること。【構成】 基板1と、その基板1の上面に搭載される半導体素子2と、その基板1と半導体素子2との間に介装されてそれらを接合する接合層3と、基板1と半導体素子2とを一体に封止する封止部4とからなる半導体装置であって、接合層3が、ガラス転移温度が常温以下の弾性高分子材料からなるようにする。これによって、基板1と半導体素子2との熱膨張係数の差により発生する応力が吸収されて緩和されるので、半導体素子2の反りを防止することができる。

Claim (excerpt)：

基板と、その基板の上面に搭載される半導体素子と、前記基板と前記半導体素子との間に介装されてそれらを接合する接合層と、前記基板と前記半導体素子とを一体に封止する封止部とからなる半導体装置であって、前記接合層は、ガラス転移温度が常温以下の弾性高分子材料からなることを特徴とする半導体装置。