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J-GLOBAL ID：200903069671666998

太陽電池の製造方法

Inventor： 花房 彰 ,  熊澤 誠二
Applicant, Patent owner： 松下電池工業株式会社
Agent (1)： 石井 和郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999188107
Publication number (International publication number)：2001015777
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 低コストで高効率の化合物半導体薄膜太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】 透光性基板、前記透光性基板上に形成された透明導電膜、前記透明導電膜上に形成されたn型半導体膜、および前記n型半導体膜上に形成されたp型半導体膜を含む太陽電池の製造方法であって、前記透明導電膜、n型半導体膜および/またはp型半導体膜上に形成され、かつ所定のパターンを有する保護膜を、回転ブラシにより除去する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

Claim (excerpt)：

透光性基板、前記透光性基板上に形成された透明導電膜、前記透明導電膜上に形成されたn型半導体膜、および前記n型半導体膜上に形成されたp型半導体膜を含む太陽電池の製造方法であって、前記透明導電膜、n型半導体膜および/またはp型半導体膜上に形成され、かつ所定のパターンを有する保護膜を、回転ブラシにより除去する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

F-Term (6)：

5F051AA09 ,  5F051BA14 ,  5F051CB30 ,  5F051EA18 ,  5F051FA02 ,  5F051HA20