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J-GLOBAL ID：200903069752856295
波長可変半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203372
Publication number (International publication number)：1996070159
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】広い連続波長可変範囲を有する高性能な波長可変DBR-LDを提供することである。【構成】発光再結合する活性層を含む活性領域11、電流注入により屈折率変化を生じる位相制御層を含む位相制御領域12、DBR導波層および回折格子を有するDBR領域13が光の共振方向に形成されてなる波長可変半導体レーザにおいて、前記位相制御領域と前記DBR領域に共通する電極が形成され、前記位相制御層を構成する半導体層のエネルギーバンド構造が価電子帯において負の有効質量を有する構造であり、かつ前記DBR導波層を構成する半導体層のエネルギーバンド構造が価電子帯において正の有効質量を有する構造であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
発光再結合する活性層を含む活性領域、電流注入により屈折率変化を生じる位相制御層を含む位相制御領域、電流注入により屈折率変化を生じるDBR導波層および回折格子を有するDBR領域が光の共振方向に形成されてなる波長可変半導体レーザにおいて、前記位相制御領域と前記DBR領域に共通する電極が形成され、前記位相制御層を構成する半導体層のエネルギーバンド構造が価電子帯において負の有効質量を有する構造であり、かつ前記DBR導波層を構成する半導体層のエネルギーバンド構造が価電子帯において正の有効質量を有する構造であることを特徴とする波長可変半導体レーザ。
IPC (2)：
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