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J-GLOBAL ID：200903069756009562

金属電極格子からなるミラーを備えた共鳴キャビティが設けられているMSMタイプの光検出器

Inventor：
ファブリス・パルド

About ファブリス・パルド

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ステファン・コーラン

About ステファン・コーラン

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ジャン-リュク・ペルアール

About ジャン-リュク・ペルアール


Applicant, Patent owner：
セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク

About セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク


Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004523876
Publication number (International publication number)：2006501638
Application date： Jul. 24, 2003
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
本発明は、入射光を検出し得るよう構成されたMSMタイプの光検出器に関するものであって、支持体(1)上に成膜されるとともに、ファブリペロータイプの共振キャビティの第1ミラーを形成するような、反射手段(2)と;入射光を吸収しない材料から形成された材料層(3)と;入射光を吸収する半導体材料から形成された活性層(4)と;検出した信号を収集する複数の分極電極からなるネットワーク(5)と;を具備している。電極ネットワーク(5)は、活性層の上に配置されるとともに、入射光の波長よりも短い一様間隔でもって配置された互いに平行な複数の導電性ストリップを備えて構成され、電極ネットワーク(5)は、共振キャビティのための第2ミラーを形成している。
Claim (excerpt)：
入射光を検出し得るよう構成されたMSMタイプの光検出器であって、 支持体(1,51,81)の第1面上に成膜されるとともに、ファブリペロータイプの共振キャビティの第1ミラーを形成するような、反射手段(2,52,82)と; 前記入射光を吸収しない材料から形成された材料層(3,53,83)と; 前記入射光を吸収する半導体材料から形成された活性層(4,54,84)と; 検出した信号を収集する複数の分極電極からなるネットワークと; を具備し、 前記電極ネットワーク(5,62)が、前記活性層の上に配置されるとともに、前記入射光の波長よりも短い一様間隔でもって配置された互いに平行な複数の導電性ストリップを備えて構成され、 前記電極ネットワーク(5,62)が、前記共振キャビティのための第2ミラーを形成し、 この第2ミラーの光学的特性が、前記複数の導電性ストリップの幾何学的寸法によって決定され、 前記第1ミラーと前記第2ミラーとの離間距離が、これら2つのミラー間において前記入射光がファブリペロータイプの共振を起こし得るような距離とされていることを特徴とする光検出器。
IPC (1)：
H01L 31/108
FI (1)：
H01L31/10 C
F-Term (7)：
5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049SE09 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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