Pat

J-GLOBAL ID：200903069758463791

多層半導体基板及びその製造方法

Inventor： 星 英夫
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068212
Publication number (International publication number)：1996264524
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 シリコン半導体基板上に薄くて均一な希土類元素の金属酸化物膜を有する多層半導体基板及びその製造方法を提供する。【構成】 エピタキシャル成長装置内に、半導体基板と金属原料を入れ、まず250°C以下の成長温度で該半導体基板上に金属膜を成長させ、その後、該エピタキシャル成長装置内に酸素ガスを導入し、酸素雰囲気中で前記金属膜上に金属酸化物膜を形成する。【効果】 半導体基板上に薄くて均一な金属酸化物膜が形成され、不揮発性メモリーやキャパシター、薄膜超電導デバイス、或いは光変調素子などの作製用基板として好適な優れた基板が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に不活性ガス成分を含まないエピタキシャル成長された金属酸化物膜が形成され、かつその界面には前記金属酸化物の勾配層の厚さが5原子層以下に相当する厚さの酸素の組成勾配層が形成されていることを特徴とする多層半導体基板。

IPC (6)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 21/316 S ,  C30B 29/06 B ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-069977
  
• 特開昭58-061634
  
• 特開昭59-114863