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J-GLOBAL ID：200903069769921473

化合物半導体単結晶の成長方法

Inventor： 小沢 章一 ,  菊田 俊夫
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992277340
Publication number (International publication number)：1994128083
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、単結晶成長中に炭素の混入を防止して、炭素濃度が極めて少なく、しかも均一である化合物半導体単結晶を効率よく得ることができる化合物半導体単結晶の成長方法を提供することを目的とする。【構成】原料容器内に化合物半導体原料を装填する工程と、前記化合物半導体原料上に、前記原料容器の内径より小さい外径であり、かつ成長させる化合物半導体単結晶の外径より大きい内径である穴を有し、化合物半導体原料の比重より小さい比重を有するリング状体を配置する工程と、前記リング状体上に液体封止剤原料を装填する工程と、化合物半導体原料および液体封止剤原料を加熱して溶融状態の化合物半導体原料上に前記リング状体を浮遊させる工程と、前記溶融状態の化合物半導体原料に、前記化合物半導体原料からなる種子結晶を接触させて前記種子結晶を引き上げる工程とを具備することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

原料容器内に化合物半導体原料を装填する工程と、前記化合物半導体原料上に、前記原料容器の内径より小さい外径であり、かつ成長させる化合物半導体単結晶の外径より大きい内径である穴を有し、化合物半導体原料の比重より小さい比重を有するリング状体を配置する工程と、前記リング状体上に液体封止剤原料を装填する工程と、化合物半導体原料および液体封止剤原料を加熱して溶融状態の化合物半導体原料上に前記リング状体を浮遊させる工程と、前記溶融状態の化合物半導体原料に、前記化合物半導体原料からなる種子結晶を接触させて前記種子結晶を引き上げる工程と、を具備することを特徴とする化合物半導体単結晶の成長方法。

IPC (3)：

C30B 27/02 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208