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J-GLOBAL ID：200903069775723209

保護膜およびその形成方法

Inventor： 宮井 清一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998047229
Publication number (International publication number)：1999245327
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 欠陥が少なく、高い防湿性を有し、しかも膜厚が小さい保護膜およびその形成方法を提供する。【解決手段】 PET膜1上に、RF反応性スパッタリング法によりSiO2膜2を形成する。SiO2 膜2上にプラズマCVD法により、SiO2 膜2におけるクラックやピンホールあるいは結晶粒界といった欠陥を埋め込むようにして、ダイヤモンド状炭素(ダイヤモンドライクカーボン、DLC)膜3を形成する。

Claim (excerpt)：

基体上に、少なくとも防湿性を有する無機物からなる少なくとも1層の膜を有する保護膜において、上記少なくとも1層の膜上にダイヤモンド状炭素膜が設けられていることを特徴とする保護膜。