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J-GLOBAL ID：200903069784535741

半導体装置の製造方法

Inventor： 辻 均 ,  三沢 寛人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991347861
Publication number (International publication number)：1993160019
Application date： Dec. 03, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】0.1μmレベルの微細パターンを転写するとき、(イ)例えばレジストをマスクとして絶縁膜に開口パターンを形成する際、エッチングされる物質がレジスト開口部の側壁にスパッタし、レジスト除去後も変質物質膜として残ったり、(ロ)パターン寸法の大小によってエッチングレートが異なったり、(ハ)リフトオフ法によるゲートパターンなどを形成するときステップカバレージが悪いことなどの課題を解決する。【構成】現像後直ちに、または現像後ホトレジスト膜にO2 プラズマ処理を行ない表面に変質層を形成した後、レジスト膜を加熱してリフローさせ、レジストパターンの開口部側壁を曲線状の順テーパーに変形させることにより、目的を達成できる。

Claim (excerpt)：

パターンを露光したホトレジスト膜を現像した後、該レジスト膜を加熱してリフローさせることにより前記レジストパターンの開口部側壁を曲線状の順テーパーに変形させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/302