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J-GLOBAL ID：200903069799675280

プラズマCVD装置及び薄膜形成方法

Inventor： 遠藤 徹哉 ,  渡辺 直樹
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 中西 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000029235
Publication number (International publication number)：2001220681
Application date： Feb. 07, 2000
Publication date： Aug. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、簡単な構成で小型かつ安価に作製することができ、基板の有効な表面にわたって膜厚が均一な薄膜を高速で堆積することができるプラズマCVD装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 真空室内に、平板状放電電極と基板とを互いに対向して設置し、真空室内に導入した反応性ガスをプラズマ発生手段によりプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置であって、前記基板と前記平板状放電電極との間の空間に、基板表面近傍に高密度プラズマ領域を形成するための磁界を発生させる閉ループ型磁界発生機構を設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

真空室内に、平板状放電電極と基板とを互いに対向して設置し、真空室内に導入した反応性ガスをプラズマ発生手段によりプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置であって、前記基板と前記平板状放電電極との間の空間に、基板表面近傍に高密度プラズマ領域を形成するための磁界を発生させる閉ループ型磁界発生機構を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/509 ,  G11B 5/84 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (4)：

C23C 16/509 ,  G11B 5/84 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C

F-Term (37)：

4K030BA28 ,  4K030BA30 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030GA01 ,  4K030KA20 ,  4K030KA22 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  4K030LA18 ,  4K030LA20 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  4M104GG09 ,  5D112AA07 ,  5D112BC05 ,  5D112FB26 ,  5D112FB29 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB07 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AF10 ,  5F045AF11 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ01 ,  5F045EJ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-124277
  
• 情報記録ディスク用成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-050191   Applicant：アネルバ株式会社
• 特開平3-247770