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J-GLOBAL ID：200903069814929553

半導体装置の実装方法

Inventor： 柿本 典子
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993201702
Publication number (International publication number)：1995058152
Application date： Aug. 13, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ICチップのような半導体装置の突起電極を配線基板の電極と接合させる際、不良半導体装置の除去が容易な実装方法を得る。【構成】 半導体装置の突起電極を配線基板の電極と位置合わせし(ステップS-1)、両者を仮に熱圧着する(ステップS-2)。電気的特性などを検査し(ステップS-3)、良品については、十分に熱圧着する(ステップS-4)。

Claim (excerpt)：

半導体装置に形成された突起電極を配線基板に形成された対応する電極に位置合わせする工程と、半導体装置の突起電極と配線基板の電極とを、電気的接続は得られるが、接合強度が不十分なために半導体装置を除去した場合は配線基板の電極上に突起電極やその一部が残らない程度のボンディング条件で仮に熱圧着する工程と、仮に熱圧着された状態で半導体装置の特性の検査を行ない、不良品,良品の選別を行なう工程と、良品については電気的接続が得られるとともに接合強度が十分なボンディング条件で半導体装置の突起電極を配線基板の電極に熱圧着する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。