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J-GLOBAL ID：200903069815449644
MOSFETの特性評価方法及び特性評価装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172343
Publication number (International publication number)：1996036020
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 MOSトランジスタのゲート・チャネル間容量を高精度に測定することができ、反転層モビリティを高精度に測定することのできるMOSトランジスタの特性評価方法を提供すること。【構成】 ゲート・チャネル間容量Cgcを測定してMOSFETの特性を評価する方法において、ソースと接地端間に交流電圧源11を、ゲートと接地端間にゲート電圧印加のための直流可変電圧源21と交流電流計12を、ドレインと接地端間にドレイン電圧印加のための直流電圧源22をそれぞれ接続し、可変電圧源21の電圧を調整しながらゲート・ソース間の容量Cgsを測定し、次いでソースを直接接地し、ドレインと接地端間に交流電圧源11と直流電圧源22を接続し、直流電圧源21の電圧を調整しながらゲート・ドレイン間の容量Cgdを測定し、得られた各容量CgsとCgdを加算してゲート・チャネル間の容量Cgcを求める。
Claim (excerpt)：
MOSFETの特性を評価する方法において、ゲート端子とソース又はドレイン端子間の容量を測定するに際し、MOSFETのソース端子及びドレイン端子の一方とゲート端子との間に電圧可変の第1の直流電圧源,交流電流計及び交流電圧源を直列に接続し、前記ソース端子とドレイン端子との間に第2の直流電圧源を接続し、かつ前記ソース端子及びドレイン端子の一方に前記交流電圧源を第2の直流電圧源と直列に挿入し、第1の直流電圧源の電圧を調整しながら前記容量を測定することを特徴とするMOSFETの特性評価方法。
IPC (4)：
G01R 31/26
, G01R 27/26
, H01L 21/66
, H01L 29/78
