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J-GLOBAL ID：200903069825976804

プラズマ処理方法および処理装置

Inventor： 中川 聡 ,  名村 高
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288888
Publication number (International publication number)：1993129094
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 磁界によるプラズマの偏りをなくし均一かつ高効率かつ被処理基板のチャージアップ損傷を小さく抑えたプラズマ処理を行う。【構成】 第1の高周波電源6から高周波電力を印加される上部電極4が磁界に直交する面をすべてプラズマに曝されており、磁界によりドリフトするプラズマ中のイオンや電子の経路に終端が無い。さらに、第2の高周波電源13から高周波電力を印加される下部電極10により被処理基板9に入射するイオンのエネルギーを制御する。

Claim (excerpt)：

接地した処理室内の制御用平板電極に被処理基板を設置し、前記被処理基板に対向配置した平板型の高周波印加電極に高周波電力を印加し、前記平板型の高周波印加電極の平板面に平行な磁界を形成するプラズマ処理方法。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭56-045761
  
• 特開昭61-199078
  
• 特開昭63-155546
  
• 特開昭63-102321