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J-GLOBAL ID：200903069839341895

カーボンナノチューブを形成するためのプラズマ化学気相成長システム

Inventor： カン,スン,グ ,  ベ,ウー,キュン
Applicant, Patent owner： シードリーム コーポレーション
Agent (1)： 飯塚 義仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007521615
Publication number (International publication number)：2008514531
Application date： Jul. 12, 2005
Publication date： May. 08, 2008
Summary：

プラズマ化学気相成長(PEVCD)法によりカーボンナノチューブ(CNT)形成する装置の一実施例は、該装置の処理チャンバ内で様々な構成で電極に連結された1以上のRF及びDC電源を用いる。十分なDC電力を1以上の電極に印加することにより、上記装置は、より水平で向上した電気的性能特性を有するカーボンナノチューブの成長を可能にする。

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブを形成するためのプラズマ化学気相成長(PEVCD)システムであって、 カーボンナノチューブが形成されるターゲット基板を収容するためのチャンバと、 カーボンナノチューブを形成するためのエネルギーを供給するために前記チャンバ内に設けられた電極構造と、 前記電極構造に結合され、前記チャンバ内にエネルギーを印加する無線周波(RF)電源と、 前記電極構造に結合され、PEVCD処理において前記ターゲット基板上でカーボンナノチューブの合成を引き起こすよう、前記チャンバ内に十分なエネルギーを印加する直流(DC)電源と を備えたシステム。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (16)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146BB23 ,  4G146BC10 ,  4G146BC16 ,  4G146BC27 ,  4G146BC31A ,  4G146BC38A ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA23 ,  4G146DA26 ,  4G146DA33 ,  4G146DA47