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J-GLOBAL ID：200903069839751392
発光素子及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213516
Publication number (International publication number)：1997064418
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：
【要約】【目的】 紫外域から青色にわたる発光波長を有する半導体レーザを、結晶の光学特性を損なうことなく構成できる発光素子及びその製造方法を提供する。【構成】 基板10と、基板上に形成された、AlN、GaN、又はAlxGa1-xNよりなるバッファ層12と、バッファ層12上に形成された、AlxGa1-xNよりなる第1のクラッド層16と、第1のクラッド層上に形成された発光層20と、発光層20上に形成された、AlxGa1-xNよりなる第2のクラッド層24とにより構成する。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に形成された、AlN、GaN、又はAlxGa1-xNよりなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、AlxGa1-xNよりなる第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された、AlxGa1-xNよりなる第2のクラッド層とを有することを特徴とする発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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