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J-GLOBAL ID：200903069847298087

導波路型光素子

Inventor： 古森 正明 ,  青木 雅博
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995027877
Publication number (International publication number)：1996222800
Application date： Feb. 16, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【構成】リッジ導波路型半導体レーザに、イオン打ち込み,歪p-n接合電流狭窄層形成,空洞形成等を行い電流狭窄機能を持たせる。或いは歪多重量子井戸層の下地に歪分布を形成し部分的に歪応力を変化させるか、結晶成長工程中に光照射を行い部分的に禁制帯幅を変化させることにより、活性層中央部のキャリアの拡がりを抑制する。【効果】効果的にリッジ導波路型レーザの電流経路を制御できるため、低しきい値化が図られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも活性層及びクラッド層の両者が順次積層され、前記クラッド層はリッジストライプ構造であるリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記活性層中央部に優先的に電流が流れ込む構造を有することを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ。