Pat

J-GLOBAL ID：200903069852089500

シリコンナノ結晶発光素子及びその製造方法

Inventor： 林 真至 ,  藤井 稔 ,  三村 篤司 ,  山本 恵一
Applicant, Patent owner： 学校法人慶應義塾 ,  日本学術振興会
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999213092
Publication number (International publication number)：2001040348
Application date： Jul. 28, 1999
Publication date： Feb. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 シリコンナノ結晶発光素子及びその製造方法に関し、安定で発光効率の高いシリコンナノ結晶発光素子を提供する。【解決手段】 シリコンナノ結晶をSiO2 中に埋め込むとともに、SiO2 中に、シリコンナノ結晶とSiO2 との熱膨張係数の差を緩和し、且つ、シリコンナノ結晶の発生時にシリコンナノ結晶中に実効的に含有されない不純物を含有させる。

Claim (excerpt)：

シリコンナノ結晶をSiO2 中に埋め込むとともに、前記SiO2 中に、前記シリコンナノ結晶とSiO2 との熱膨張係数の差を緩和し、且つ、前記シリコンナノ結晶の発生時にシリコンナノ結晶中に実効的に含有されない不純物を含有させることを特徴とするシリコンナノ結晶発光素子。

IPC (3)：

C09K 11/59 ,  C09K 11/08 ,  H01S 5/34

FI (3)：

C09K 11/59 ,  C09K 11/08 A ,  H01S 5/34

F-Term (9)：

4H001CC11 ,  4H001CF01 ,  4H001XA14 ,  5F073AA51 ,  5F073AA75 ,  5F073CA24 ,  5F073CB19 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35