半導体素子冷却用ヒートシンク

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川和高穂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004065933
Publication number (International publication number)：2005259794
Application date： Mar. 09, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】ヒートシンクと冷却空気の温度差を大きくして、冷却性能を向上させることができ、結露による半導体素子の破壊の危険性がなく、基板のたわみによる信号の特性を劣化させることなく半導体素子の冷却が可能な半導体素子冷却用ヒートシンクを提供する。【解決手段】高速信号を処理する発熱素子101が搭載された実装基板102外の筐体103内に固定されたヒートシンク205と、ヒートシンク205の上に配置され、高温側がヒートシンク205に熱的に接続された少なくとも1つの熱電冷却素子204と、発熱素子101と吸熱部201が熱的に接続され、そして、熱電冷却素子204の低温側と放熱部203が熱的に接続された少なくとも1つのヒートパイプ202とを備え、ヒートシンク205の荷重による基板のたわみを防止して発熱密度の高い発熱素子101を冷却する、半導体素子冷却用ヒートシンク。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

発熱素子が搭載された実装基板外の筐体内に固定されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの上に配置され、高温側が前記ヒートシンクに熱的に接続された少なくとも1つの熱電冷却素子と、前記発熱素子と吸熱部が熱的に接続され前記熱電冷却素子の低温側と放熱部が熱的に接続された少なくとも1つのヒートパイプとを備え、前記ヒートシンクの荷重による前記基板のたわみを防止して前記発熱素子を冷却する、半導体素子冷却用ヒートシンク。

IPC (1)：

H01L23/427

FI (1)：

H01L23/46 B

F-Term (8)：

5F036AA01 , 5F036BA06 , 5F036BA33 , 5F036BB01 , 5F036BB05 , 5F036BB44 , 5F036BC33 , 5F036BC35

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

発熱素子冷却装置及び電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-204490 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (6)

発熱部品の冷却装置および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-257914 Applicant：株式会社東芝
ペルチェ冷却装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-057215 Applicant：富士写真フイルム株式会社
冷却装置およびこれを備えた電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-303978 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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