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J-GLOBAL ID：200903069860447431

半導体レーザ

Inventor：
萬濃 正也

About 萬濃 正也

, 
大仲 清司

About 大仲 清司


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992094239
Publication number (International publication number)：1993291686
Application date： Apr. 14, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 長寿命かつ発振波長の再現性に優れた高歩留まりの素子構造を有する横モード制御型の半導体レーザを提供する。【構成】 p-(Al0.6 Ga0.4 )0.5 In0.5 Pクラッド層42とアンドープGa0.5 In0.5 P活性層3との間に、クラッド層42より拡散係数の小さいアンドープGa0.5 In0.5 P層103とアンドープ(Al0.6 Ga0.4 )0.5In0.5 P層102からなる拡散抑止層を設けている。そのため、結晶成長中や加工中にp-(Al0.6 Ga0.4 )0.5 In0.5 Pクラッド層42から拡散した不純物のZnは、アンドープGa0.5 In0.5 P層103にほぼトラップされ、一部下部のアンドープ(Al0.6 Ga0.4 )0.5 In0.5 P層102に拡散するもののアンドープGa0.5 In0.5 P活性層3には到達しない。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上に格子整合のとれた2つの(Al<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>)InPクラッド層の間に(Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-Y </SB>)InP活性層(0≦y<x≦1)を備えたダブルヘテロ構造を有する半導体レーザであって、少なくとも一方の(Al<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>)InPクラッド層と前記(Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-</SB><SB>Y </SB>)InP活性層との間に、アンドープあるいは低ドープAlGaInP層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-049691
  • 特開平3-227089
  • 特開平2-033990
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