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J-GLOBAL ID：200903069864996669

半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： 大久保 典雄
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994093808
Publication number (International publication number)：1995283484
Application date： Apr. 06, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 共振器面上にバンドギャップを拡大する半導体層を高歩留りで形成することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】 活性層5の共振器面に活性層5よりもバンドギャップが大きい半導体層11を積層した半導体レーザ素子の製造方法において、活性層5を積層したエピタキシャル半導体ウェハの積層面上に誘電体層10を形成し、次いで、前記ウェハをへき開して共振器面を形成し、次いで、前記共振器面上にバンドギャップが活性層5よりも大きい半導体層11を積層し、次いで、エッチングにより前記誘電体層10を除去する工程を設ける。

Claim (excerpt)：

活性層の共振器面に活性層よりもバンドギャップが大きい半導体層を積層した半導体レーザ素子の製造方法において、活性層を積層したエピタキシャル半導体ウェハの積層面上に第1の誘電体層、および該第1の誘電体層と独立して除去することができる第2の誘電体層を形成し、次いで、前記ウェハをへき開して共振器面を形成し、次いで、前記共振器面上にバンドギャップが活性層よりも大きい半導体層を積層し、次いで、前記第2の誘電体層を第1の誘電体層と独立して除去する工程を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。