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J-GLOBAL ID：200903069865456641

パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： 三島 昭史 ,  福井 総一 ,  小田 淳一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996232855
Publication number (International publication number)：1998081954
Application date： Sep. 03, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光ビームを用いて情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛-二酸化ケイ素焼結体からなるパーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 純度:99.999重量%以上の二酸化ケイ素:10〜30mol%を含有し、さらに必要に応じて酸化アルミニウム:10〜1000ppmを含有し、残りが純度:99.999重量%以上の硫化亜鉛からなる組成、並びに相対密度:90%以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率(α/β)が0.001<α/β<0.3の範囲内にあり、前記硫化亜鉛のα型結晶およびβ型結晶の最大結晶粒径は15μm以下でかつ平均結晶粒径は10μm以下である。

Claim (excerpt)：

純度:99.999重量%以上の二酸化ケイ素:10〜30mol%を含有し、残りが純度:99.999重量%以上の硫化亜鉛からなる組成、並びに相対密度:90%以上を有する焼結体からなるスパッタリングターゲットにおいて、前記硫化亜鉛はα型結晶とβ型結晶の混在比率(α/β)が0.001<α/β<0.3の範囲内にあることを特徴とするパーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34

FI (2)：

C23C 14/06 L ,  C23C 14/34 A